书名:
太阳电池材料
作者: 杨德仁
出版社: 化学工业出版社
版次: 1
出版日期: 2006年10月
页数: 317
定价:
39.80
元
参考重量: 0.440
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* 内容提要 *
第1章 太阳能和光电转换
1.1 太阳能
1.2 太阳能辐射和吸收
1.3 太阳能光电的研究和应用历史
1.4 太阳电池的研究和开发
参考文献
第2章 太阳能光电材料及物理基础
2.1 半导体材料和太阳能光电材料
2.2 载流子和能带
2.3 杂质和缺陷能级
2.4 热平衡下的载流子
2.5 非平衡少数载流子
2.6 p-n结
2.7 金属-半导体接触和MIS结构
2.8 太阳能光电转换原理——光生伏特效应
参考文献
第3章 太阳电池的结构和制备
3.1 太阳电池的结构和光电转换效率
3.2 晶体硅太阳电池的基本工艺
3.3 薄膜太阳电池
参考文献
第4章 单晶硅材料
4.1 硅的基本性质
4.2 太阳电池用硅材料
4.3 高纯多晶硅的制备
4.4 太阳能级多晶硅的制备
4.5 区熔单晶硅
4.6 直拉单晶硅
4.7 硅晶片加工
参考文献
第5章 直拉单晶硅中的杂质和位错
5.1 直拉单晶硅中的氧
5.2 直拉单晶硅中的碳
5.3 直拉单晶硅中的金属杂质
5.4 直拉单晶硅中的位错
参考文献
第6章 铸造多晶硅
6.1 概述
6.2 铸造多晶硅的制备工艺
6.3 铸造多晶硅的晶体生长
参考文献
第7章 铸造多晶硅中的杂质和缺陷
7.1 铸造多晶硅中的氧
7.2 铸造多晶硅中的碳
7.3 铸造多晶硅中的氮
7.4 铸造多晶硅中的氢
7.5 铸造多晶硅中的金属杂质和吸杂
7.6 铸造多晶硅中的晶界
7.7 铸造多晶硅中的位错
参考文献
第8章 带硅材料
8.1 带硅材料的制备
8.2 带硅生长的基本问题
8.3 带硅材料的缺陷和杂质
8.4 带硅材料的氢钝化和吸杂
参考文献
第9章 非晶硅薄膜
第10章 多晶硅薄膜
第11章 GaAs半导体材料
第12章 CdTe和CdS薄膜材料
第13章 CuInSe2(CuInS2)薄膜材料
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